Disclosed is a method of manufacturing semiconductor devices. In the
process of simultaneously forming a high voltage device and a low voltage
device, a photoresist film for patterning a gate oxide film in a high
voltage device is removed in a wet mode using a solvent. The polysilicon
film used as the gate electrode is then formed without applying a vacuum.
It is thus possible to increase reliability of the gate oxide film, and
prevent damage of the gate oxide film due to ozone plasma and penetration
of a grain protrusion of the polysilicon film into the gate oxide film.
Accordingly, the breakdown voltage characteristic of the gate oxide film
is improved.
Показан метод изготовлять прибора на полупроводниках. In the process of одновременно формировать высоковольтное приспособление и приспособление низкого напряжения тока, пленка фоторезиста для делать по образцу пленку окиси строба в высоковольтном приспособлении извлекается в влажном режиме использующ растворитель. Пленка polysilicon используемая как электрод строба после этого сформирована без прикладывать вакуум. Таким образом по возможности увеличить надежность пленки окиси строба, и предотвращает повреждение пленки окиси строба должной к плазме озона и прониканию выступания зерна пленки polysilicon в пленку окиси строба. Соответственно, улучшено напряжение тока нервного расстройства характерное пленки окиси строба.
