A method of fabricating a semiconductor laser device includes the steps of
forming semiconductor layers composed of a first conductive type cladding
layer, an active layer, and a second conductive type cladding layer on a
substrate, and peeling a device formation region of the semiconductor
layers from the substrate and simultaneously forming a resonance mirror on
an end portion of the device formation region by irradiating the device
formation region with energy beams traveling from the back surface side of
the substrate. With this configuration, it is possible to peel a device
from a substrate and also form a flat resonance mirror with less damage of
crystal by laser abrasion, and further to easily form a high quality
resonance mirror without increasing the number of fabrication steps.
Eine Methode des Fabrizierens einer Halbleiterlaser Vorrichtung schließt die Schritte der Formung der Halbleiterschichten ein, die aus einer ersten leitenden Art Umhüllungschicht, eine aktive Schicht und eine zweite leitende Art Umhüllungschicht auf einem Substrat und der Schale einer Vorrichtung Anordnung Region der Halbleiterschichten vom Substrat und einen Resonanzspiegel auf einem Ende Teil der Vorrichtung Anordnung Region gleichzeitig bilden bestehen, indem sie die Vorrichtung Anordnung Region mit den Energielichtstrahlen bestrahlt, die von der rückseitigen Oberflächenseite des Substrates reisen. Mit dieser Konfiguration ist es möglich, einer Vorrichtung von einem Substrat abzuziehen und einen flachen Resonanzspiegel mit weniger Beschädigung des Kristalles durch Laser Abnutzung auch zu bilden, und einen hohe Qualitätsresonanzspiegel weiter leicht zu bilden, ohne die Zahl Herstellung Schritten zu erhöhen.
