A magnetic random access memory (MRAM) cell and a memory array formed from
the MRAM cells are disclosed. The MRAM cell includes a magnetic tunneling
junction and a transistor. The magnetic tunneling junction includes a
first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer and an insulating
layer between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic
layer. The gate of the transistor is coupled to a first end of the
magnetic tunneling junction. The source of the transistor is coupled to a
second end the magnetic tunneling junction. The drain of the transistor is
coupled with an output for reading the magnetic memory cell. During
reading, a read current is applied to the magnetic tunneling junction and
the transistor is preferably operated in a saturation region.
Een cel magnetische van het directe toeganggeheugen (MRAM) en een geheugenserie die van de cellen MRAM wordt gevormd worden onthuld. De cel MRAM omvat een magnetische een tunnel gravende verbinding en een transistor. De magnetische een tunnel gravende verbinding omvat een eerste ferromagnetische laag, een tweede ferromagnetische laag en een het isoleren laag tussen de eerste ferromagnetische laag en de tweede ferromagnetische laag. De poort van de transistor wordt gekoppeld aan een eerste eind van de magnetische een tunnel gravende verbinding. De bron van de transistor wordt gekoppeld aan een tweede eind de magnetische een tunnel gravende verbinding. Het afvoerkanaal van de transistor wordt gekoppeld aan een output voor het lezen van de magnetische geheugencel. Tijdens lezing, wordt een gelezen stroom toegepast op de magnetische een tunnel gravende verbinding en de transistor wordt bij voorkeur in werking gesteld in een verzadigingsgebied.
