A unipolar photodiode and methods of making and using employ a Schottky
contact as a cathode contact. The Schottky cathode contact is created
directly on a carrier traveling or collector layer of the unipolar
photodiode resulting in a simpler overall structure to use and make. The
unipolar photodiode comprises a light absorption layer, the collector
layer adjacent to the light absorption layer, the Schottky cathode contact
in direct contact with the collector layer, and an anode contact either
directly or indirectly interfaced to the light absorption layer. The light
absorption layer has a doping concentration that is greater than a doping
concentration of the collector layer. The light absorption layer has a
band gap energy that is less than that of the collector layer. The light
absorption layer and the collector layer may be of the same or opposite
conduction type.
Um fotodiodo unipolar e os métodos de fazer e de usar-se empregam um contato de Schottky como um contato do cátodo. O contato do cátodo de Schottky é criado diretamente em viajar de um portador ou em camada do coletor do fotodiodo unipolar tendo por resultado uma estrutura total mais simples para usar-se e fazer. O fotodiodo unipolar compreende uma camada do absorption claro, a camada do coletor junto à camada do absorption claro, o contato do cátodo de Schottky no contato direto com a camada do coletor, e em um contato do ânodo diretamente ou conectarado indiretamente à camada do absorption claro. A camada do absorption claro tem uma concentração doping que seja mais grande do que uma concentração doping da camada do coletor. A camada do absorption claro tem uma energia da abertura da faixa que seja menos do que aquela da camada do coletor. A camada do absorption claro e a camada do coletor podem ser do mesmo ou do tipo oposto da condução.
