A CVD apparatus includes (i) a reaction chamber; (ii) a reaction gas inlet;
(iii) a lower stage on which a semiconductor substrate is placed; (iv) an
upper electrode for plasma excitation; (v) an intermediate electrode with
plural pores through which the reaction gas passes, wherein a reaction
space is formed between the upper electrode and the intermediate
electrode; and (vi) a cooling plate disposed between the intermediate
electrode and the lower stage, wherein a transition space is formed
between the intermediate electrode and the cooling plate, and a
plasma-free space is formed between the cooling plate and the lower stage.
Um instrumento do CVD inclui (i) uma câmara da reação; (ii) uma entrada do gás de reação; (iii) um estágio mais baixo em que uma carcaça do semicondutor é colocada; (iv) um elétrodo superior para a excitação do plasma; (v) um elétrodo intermediário com os pores plurais através de que o gás de reação passa, wherein um espaço da reação é dado forma entre o elétrodo superior e o elétrodo intermediário; e (vi) uma placa refrigerando disposta entre o elétrodo intermediário e o estágio mais baixo, wherein um espaço da transição é dado forma entre o elétrodo intermediário e a placa refrigerando, e um espaço plasma-livre é dada forma entre a placa refrigerando e o estágio mais baixo.
