A semiconductor laser device according to the present invention has a
semiconductor substrate having a first region and a second region adjacent
to the first region, a first active layer formed on the first region and
made of a compound semiconductor, a first clad layer formed on the first
active layer and made of a compound semiconductor containing a first
dopant, and a second active region formed on the second region and made of
a compound semiconductor containing a second dopant having a diffusion
coefficient with respect to the first active region which is higher than
that of the first dopant.
Un dispositif de laser de semi-conducteur selon la présente invention a un substrat de semi-conducteur avoir une première région et une deuxième région à côté de la première région, une première couche active formée sur la première région et faite d'un semi-conducteur composé, une première couche plaquée formée sur la première couche active et faite d'un semi-conducteur composé contenant un premier dopant, et une deuxième région active formée sur la deuxième région et faite d'un semi-conducteur composé contenant un deuxième dopant ayant un coefficient de diffusion en ce qui concerne la première région active qui est plus haute que celle du premier dopant.
