An integrated circuit memory device for use in a memory system receives
predetermined command/address signals from a memory controller and reads
and writes data in response to the command/address signals. The memory
device includes at least one input/output terminal that inputs/outputs
data from/to the memory controller via a data input/output bus, at least
one termination resistor, and an active termination control signal
generator that generates a control signal to control active termination of
the at least one data input/output terminal in response to a chip
selection signal from the memory controller. The memory device also
includes at least one switch coupled in series with the at least one
termination resistor between the at least one input/output terminal and a
predetermined voltage wherein the at least one switch is switched on/off
in response to the control signal such that the at least one input/output
terminal is connected/disconnected to/from the predetermined voltage
responsive to the control signal and such that the at least one
termination resistor is coupled in series between the predetermined
voltage and the at least one input/output terminal when the at least one
switch is switched on and such that the at least one input/output terminal
is decoupled from the predetermined voltage when the at least one switch
is switched off. Related memory systems and methods are also discussed.
Ein Schaltunggrößtintegriertes Speicherbauelement für Gebrauch in einem Gedächtnissystem empfängt vorbestimmte command/address Signale von einem Gedächtnissteuerpult und liest und schreibt Daten in Erwiderung auf die command/address Signale. Das größtintegrierte Speicherbauelement schließt mindestens einen Input/Output Anschluß ein, der inputs/outputs Daten from/to der Gedächtnissteuerpult über einen Dateninput/Output Bus, mindestens einen Endpunktwiderstand und einen aktiven Endpunktsteuersignalgenerator, der ein Steuersignal erzeugt, aktiven Endpunkt des mindestens eines Dateninput/Output Anschlusses in Erwiderung auf ein Spanvorwählersignal vom Gedächtnissteuerpult zu steuern. Das größtintegrierte Speicherbauelement schließt auch mindestens einen Schalter ein, der in der Reihe mit dem mindestens einem Endpunktwiderstand zwischen dem mindestens einem Input/Output Anschluß und einer vorbestimmten Spannung, worin der mindestens ein Schalter, verbunden wird in Erwiderung auf das Steuersignal so geschaltetes AN/AUS ist, daß der mindestens ein Input/Output Anschluß connected/disconnected to/from die vorbestimmte Spannung ist, die dem Steuersignal und so, daß der mindestens ein Endpunktwiderstand, entgegenkommend ist in der Reihe zwischen der vorbestimmten Spannung und dem mindestens einem Input/Output Anschluß verbunden wird, wenn der mindestens ein Schalter und so eingeschaltet wird, daß der mindestens ein Input/Output Anschluß von der vorbestimmten Spannung entkoppelt wird, wenn der mindestens ein Schalter wird geschaltet weg von. In Verbindung stehende Gedächtnissysteme und -methoden werden auch besprochen.
