In silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor,
a metal electrode which is another than a gate electrode and which is
contacted with a singlecrystalline silicon carbide substrate is treated
with a predetermined heat process at a temperature which is lower than a
thermal oxidization temperature by which a gate insulating film is formed
and is sufficient to carry out a contact annealing between the
singlecrystalline silicon carbide substrate and a metal after a whole
surrounding of the gate insulating film is enclosed with the
singlecrystalline silicon carbide substrate, a field insulating film, and
the gate electrode. The present invention is applicable to a MOS
capacitor, an n channel planar power MOSFET, and an n channel planar power
IGBT.
No método de dispositivo e de manufacturing de semicondutor do carbide do silicone therefor, um elétrodo do metal que seja diferente do que um elétrodo de porta e que seja contatado com uma carcaça do carbide do silicone do singlecrystalline é tratado com um processo predeterminado do calor em uma temperatura que seja mais baixa do que uma temperatura térmica do oxidization por que uma película isolando da porta é dada forma e é suficiente realizar um recozimento do contato entre a carcaça do carbide do silicone do singlecrystalline e um metal após cercar do todo da película isolando da porta é incluído com a carcaça do carbide do silicone do singlecrystalline, uma película isolando do campo, e o elétrodo de porta. A invenção atual é aplicável a um capacitor do MOS, a um MOSFET planar do poder da canaleta de n, e a um poder planar IGBT da canaleta de n.
