A method of making a Schottky diode comprising the steps of: providing a
single crystal diamond comprising a surface; placing the single crystal
diamond in a CVD system; heating the diamond to a temperature of at least
about 950.degree. C.; providing a gas mixture capable of growing diamond
film and comprising a sulfur compound through the CVD system; growing an
epitaxial diamond film on the surface of the single crystal diamond;
baking the diamond at a temperature of at least about 650.degree. C. in
air for a period of time that minimizes oxidation of the diamond; and
fabricating a Schottky diode comprising the diamond film. A Schottky diode
comprising an epitaxial diamond film and capable of blocking at least
about 6 kV in a distance of no more than about 300 .mu.m.
Een methode van het maken een diode Schottky bestaand uit de stappen van: het verstrekken van een enig kristaldiamant bestaand uit een oppervlakte; het plaatsen van de enig kristaldiamant in een systeem van CVD; verwarmend de diamant aan een temperatuur van op zijn minst over 950.degree. C.; het verstrekken van een gasmengsel geschikt om diamantfilm te kweken en het bestaan van een uit zwavelsamenstelling door het systeem van CVD; het kweken van een epitaxial diamantfilm op de oppervlakte van de enig kristaldiamant; bakkend de diamant bij een temperatuur van op zijn minst over 650.degree. C. in lucht voor een tijdspanne die oxydatie van de diamant minimaliseert; en vervaardigend een diode Schottky bestaand uit de diamantfilm. Een diode Schottky bestaand uit een epitaxial diamantfilm en geschikt om minstens ongeveer 6 kV in een afstand van mu.m. te blokkeren niet meer dan ongeveer 300
