There is provided a spin valve transistor that comprises a collector region
made of semiconductor, a base region provided on the collector region and
including a first ferromagnetic layer whose magnetization direction
changes in accordance with a direction of an external magnetic field, a
barrier layer provided on the base layer and made of insulator or
semiconductor, and an emitter region provided on the barrier layer and
including a second ferromagnetic layer whose magnetization direction is
fixed.
Обеспечено транзистору клапана закрутки состоит из зоны сборника сделанной из полупроводника, низкопробной зоны обеспеченной на зоне сборника и вклюать первый сегнетомагнитный слой которого изменения направления замагничивания в соответствии с направлением внешнего магнитного поля, слоя барьера обеспеченного на низкопробном слое и сделанного из изолятора или полупроводника, и зоны излучателя обеспечили на слое барьера и вклюать второй сегнетомагнитный слой которого направление замагничивания фикчировано.
