An MRAM storage device includes temperature dependent current sources that
adjust their outputs as temperature varies. Temperature dependent current
sources include one or more diodes connected to a transistor. As
temperature varies so does the voltage drop across the diodes. In
addition, the MRAM data storage device includes at least one digit line,
at least one bit line, and at least one MRAM cell disposed proximate to a
junction of a digit line and a bit line. Each end of each digit line is
connected to temperature dependent current sources and current sinks. One
end of each bit line is connected to a temperature dependent current
source while the other end of each bit line is connected to a current
sink. Two logic signals R and D are used to activate a write operation and
determine the direction of the write current in the digit line.
Een opslaggelegenheid MRAM omvat temperatuur afhankelijke huidige bronnen die hun output aanpassen aangezien de temperatuur variëert. Omvatten de afhankelijke huidige bronnen van de temperatuur één of meerdere dioden die met een transistor worden verbonden. Aangezien de temperatuur doet dat de voltagedaling over de dioden variëert. Bovendien omvat de Mram- gegevensopslaggelegenheid minstens één cijferlijn, minstens beet men lijn, en minstens één cel MRAM schikte naburig aan een verbinding van een cijferlijn en een beetjelijn. Elk eind van elke cijferlijn wordt verbonden met temperatuur afhankelijke huidige bronnen en huidige gootstenen. Één eind van elke beetjelijn wordt verbonden met een temperatuur afhankelijke huidige bron terwijl het andere eind van elke beetjelijn met een huidige gootsteen wordt verbonden. Twee logicasignalen wordt O&O gebruikt om te activeren schrijft verrichting en bepaalt de richting van stroom in de cijferlijn schrijft.
