In a method of forming an array substrate for in-plane switching liquid
crystal display device a first metal layer is formed on a substrate and
then patterned using a first mask so as to form a gate line having a gate
electrode and a common line having a plurality of common electrodes. A
gate insulation layer is formed on the substrate to cover the patterned
first metal layer. A semiconductor layer is formed on the gate insulation
layer using a second mask, wherein the semiconductor layer includes an
active layer of pure amorphous silicon and an ohmic contact layer of
impurity-doped amorphous silicon. A second metal layer is formed on the
gate insulation layer to cover the semiconductor layer and then patterned
using a third mask to form a data line having a source electrode, a pixel
connecting line having a plurality of pixel electrodes, and a drain
electrode that is spaced apart from the source electrode. A channel is
formed by etching a portion of the ohmic contact layer between the source
and drain electrodes. An alignment layer is formed over the substrate to
cover the patterned second metal layer. The substrate having the alignment
layer and the source and drain electrode is then thermal-treated in a
furnace to cure the alignment layer and to anneal a thin film transistor.
Σε μια μέθοδο ένα υπόστρωμα σειράς για την-ΕΠΊΠΕΔΗ συσκευή υγρής επίδειξης κρυστάλλου μετατροπής ένα πρώτο στρώμα μετάλλων διαμορφώνεται σε ένα υπόστρωμα και διαμορφώνεται έπειτα χρησιμοποιώντας μια πρώτη μάσκα ώστε να διαμορφωθούν μια γραμμή πυλών που έχουν ένα ηλεκτρόδιο πυλών και μια κοινή γραμμή που έχει μια πολλαπλότητα των κοινών ηλεκτροδίων. Ένα στρώμα μόνωσης πυλών διαμορφώνεται στο υπόστρωμα για να καλύψει το διαμορφωμένο πρώτο στρώμα μετάλλων. Ένα στρώμα ημιαγωγών διαμορφώνεται στο στρώμα μόνωσης πυλών χρησιμοποιώντας μια δεύτερη μάσκα, όπου το στρώμα ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα ενεργό στρώμα του καθαρού άμορφου πυριτίου και ένα ωμικό στρώμα επαφών του ακαθαρσία-ναρκωμένου άμορφου πυριτίου. Ένα δεύτερο στρώμα μετάλλων διαμορφώνεται στο στρώμα μόνωσης πυλών για να καλύψει το στρώμα ημιαγωγών και διαμορφώνεται έπειτα χρησιμοποιώντας μια τρίτη μάσκα για να διαμορφώσει μια γραμμή στοιχείων που έχουν ένα ηλεκτρόδιο πηγής, μια συνδέοντας γραμμή εικονοκυττάρου που έχουν μια πολλαπλότητα των ηλεκτροδίων εικονοκυττάρου, και ένα ηλεκτρόδιο αγωγών που χωρίζεται κατά διαστήματα εκτός από το ηλεκτρόδιο πηγής. Ένα κανάλι διαμορφώνεται με τη χάραξη μιας μερίδας του ωμικού στρώματος επαφών μεταξύ των ηλεκτροδίων πηγής και αγωγών. Ένα στρώμα ευθυγράμμισης διαμορφώνεται πέρα από το υπόστρωμα για να καλύψει το διαμορφωμένο δεύτερο στρώμα μετάλλων. Το υπόστρωμα που έχει το στρώμα ευθυγράμμισης και το ηλεκτρόδιο πηγής και αγωγών θερμικός-αντιμετωπίζεται έπειτα σε έναν φούρνο για να θεραπεύσει το στρώμα ευθυγράμμισης και για να ανοπτήσει μια κρυσταλλολυχνία λεπτών ταινιών.
