A strip loaded waveguide comprises a slab and a strip, wherein the strip is
separated from the slab. Nevertheless, a guiding region is provided for
propagating an optical mode and this guiding region extends both within
the strip and the slab. A layer of material having an index of refraction
lower than that of the strip and the slab may be disposed between and
separate the strip and the slab. In one embodiment, the slab comprises a
crystalline silicon, the strip comprises polysilicon or crystalline
silicon, and the layer of material therebetween comprises silicon dioxide.
Such waveguides may be formed on the same substrate with transistors.
These waveguides may also be electrically biased to alter the index of
refraction and/or absorption of the waveguide.
Ein Streifen geladener Wellenleiter enthält eine Platte und einen Streifen, worin der Streifen von der Platte getrennt wird. Dennoch wird eine leitende Region für das Fortpflanzen eines optischen Modus zur Verfügung gestellt und diese leitende Region verlängert beide innerhalb des Streifens und der Platte. Eine Schicht Material, das ein Brechungsindex niedriger als das des Streifens und der Platte hat, kann zwischen abgeschaffen werden und den Streifen und die Platte trennen. In einer Verkörperung enthält die Platte ein kristallenes Silikon, enthält der Streifen polysilicon oder kristallenes Silikon, und die Schicht des Materials therebetween enthält Silikondioxid. Solche Wellenleiter können auf dem gleichen Substrat mit Transistoren gebildet werden. Diese Wellenleiter können auch elektrisch beeinflußt werden, um das Brechungsindex und/oder Absorption des Wellenleiters zu ändern.
