The invention provides a mass of crystals, particularly diamond crystals,
having a size of less than 100 microns and in which mass the majority of
the crystals are faceted single crystals. The invention further provides a
method of producing such a mass of crystals which utilizes crystal growth
under elevated temperature and pressure conditions, the supersaturation
driving force necessary for crystal growth being dependent, at least in
part, on the difference in surface free energy between low Miller index
surfaces and high Miller index surfaces of the crystals. Preferably, the
method is carried out under conditions where the Wulff effect dominates.
L'invention fournit une masse des cristaux, en particulier cristaux de diamant, ayant une taille de moins de 100 microns et dans quelle masse la majorité des cristaux sont les cristaux simples facettés. L'invention autre fournit une méthode de produire une telle masse des cristaux qui utilise la croissance en cristal dans des conditions élevées de la température et de pression, la force d'entraînement de sursaturation nécessaire pour la croissance en cristal étant dépendante, au moins en partie, de la différence dans l'énergie libre extérieure entre de basses surfaces d'index de Miller et surfaces élevées d'index de Miller des cristaux. De préférence, la méthode est effectuée dans des conditions où l'effet de Wulff domine.
