An n-current blocking layer is formed by alternately stacking an n-first
current blocking layer of a nitride based semiconductor containing Al or B
and an n-second current blocking layer of a nitride based semiconductor
containing In. In a semiconductor laser device having a real refractive
index guided structure, the mean refractive index of the n-current block
layer is smaller than the refractive indices of a p-first cladding layer
and a p-second cladding layer. In a semiconductor laser device having a
loss guided structure, the mean band gap of the n-current blocking layer
is substantially equal to or smaller than the mean band gap of an active
layer.
Een n-huidige het blokkeren laag wordt door afwisselend een n-eerste huidige het blokkeren laag van een nitride gebaseerde halfgeleider gevormd Al of B bevatten en een n-tweede huidige het blokkeren te stapelen laag die van een nitride gebaseerde halfgeleider binnen bevatten. In een apparaat dat van de halfgeleiderlaser een echte r i geleide structuur heeft, gemiddelde is r i van de n-stroom bloklaag kleiner dan de brekingsindexen van een p-eerste bekledingslaag en een p-tweede bekledingslaag. In een apparaat dat van de halfgeleiderlaser een verlies geleide structuur heeft, is het gemiddelde bandhiaat van de n-huidige het blokkeren laag wezenlijk gelijk aan of kleiner dan het gemiddelde bandhiaat van een actieve laag.
