A semiconductor device having self-aligned contact pads and a method for
manufacturing the same are provided. The semiconductor device includes a
semiconductor substrate and an isolation layer formed on the semiconductor
substrate. The semiconductor substrate defines a plurality of active
regions that each have a major axis and a minor axis. A plurality of gates
are formed to cross the plurality of active regions and extend in the
direction of the minor axis. First and second source/drain regions are
formed in active regions at either side of each of the gates. First and
second self-aligned contact pads (SACs) are formed to contact the top
surfaces of the first and second source/drain regions, respectively.
Обеспечены прибора на полупроводниках собственн-vyravniva4 пусковые площадки контакта и метод для изготовлять эти же. Прибора на полупроводниках вклюает субстрат полупроводника и слой изоляции сформированные на субстрате полупроводника. Субстрат полупроводника определяет множественность активно зон каждое имеет главную ось и небольшую ось. Множественность стробов сформирована для того чтобы пересечь множественность активно зон и удлинить в направление небольшой оси. Во первых и вторые зоны source/drain сформируйте в активно зонах на любой стороне каждого из стробов. Во первых и во-вторых собственн-vyrovn4nnye пусковые площадки контакта (sACs) сформированы для того чтобы контактировать верхние поверхности первых и вторых зон source/drain, соответственно.
