The high-purity aluminum sputter target is at least 99.999 weight percent
aluminum and has a grain structure. The grain structure is at least 99
percent recrystallized and has a grain size of less than 200 .mu.m. The
method forms high-purity aluminum sputter targets by first cooling a
high-purity target blank to a temperature of less than -50.degree. C. and
then deforming the cooled high-purity target blank introduces intense
strain into the high-purity target. After deforming, recrystallizing the
grains at a temperature below 200.degree. C. forms a target blank having
at least 99 percent recrystallized grains. Finally, finishing at a low
temperature sufficient to maintain the fine grain size of the high-purity
target blank forms a finished sputter target.
Das von hohem Reinheitsgrad Aluminium spritzt Ziel ist mindestens 99.999-das Gewichtprozent-Aluminium und hat eine Kornstruktur. Die Kornstruktur ist mindestens 99 Prozent umkristallisiert und hat eine Korngröße von weniger mu.m als 200. Das von hohem Reinheitsgrad Aluminium der Methode Formen spritzt Ziele, indem es zuerst einen von hohem Reinheitsgrad Zielfreien Raum zu einer Temperatur von kleiner als -50.degree abkühlt. C. und den abgekühlten von hohem Reinheitsgrad Zielfreien Raum dann verformen stellt intensive Belastung in das von hohem Reinheitsgrad Ziel vor. Nachdem dem Verformen die Körner bei einer Temperatur unter 200.degree umkristallisierend. C. bildet einen Zielfreien Raum, der mindestens 99 Prozent umkristallisierte Körner hat. Schließlich beendend bei einer niedrigen Temperatur, die genügend ist, die feine Korngröße von von hohem Reinheitsgrad Formulardes Ziels beizubehalten beendet, spritzen Sie Ziel.
