The nitride-based semiconductor laser device 10 has a stacked structure
comprising a first contacting layer 14, a first cladding layer 16, an
active layer 20, a second cladding layer 24, a second contacting layer 26
and a second electrode 30 which are consecutively stacked, the second
cladding layer 24 comprises a lower layer 24A and an upper layer 24B, the
first cladding layer 14, the active layer 20 and the lower layer 24A of
the second cladding layer have a mesa structure, the upper layer 24B of
the second cladding layer and the second contacting layer 26 have a ridge
structure, an insulating layer 40 covering at least part of each of both
side surfaces of the upper layer 24B of the second cladding layer is
formed on the portions of the lower layer 24A of the second cladding layer
which portions correspond to the top surface of the mesa structure, and
further, a metal layer 42 having substantially the same width as the mesa
structure is formed on the top surface of the insulating layer 40 and the
top surface of the second electrode 30 such that the metal layer 42
continues from one top surface to the other.
Il dispositivo nitruro-basato 10 del laser a semiconduttore ha una struttura impilata contenere un primo strato mettentesi in contatto con 14, un primo strato 16 del rivestimento, uno strato attivo 20, un secondo strato 24 del rivestimento, un secondo strato mettentesi in contatto con 26 e un secondo elettrodo 30 che sono impilati consecutivamente, il secondo strato 24 del rivestimento contiene uno strato più basso 24A e uno strato superiore 24B, il primo strato 14 del rivestimento, lo strato attivo 20 e lo strato più basso 24A del secondo strato del rivestimento hanno una struttura di MESA, lo strato superiore 24B del secondo strato del rivestimento ed il secondo strato mettentesi in contatto con 26 ha una struttura della cresta, uno strato isolante 40 che riguarda almeno la parte di ciascuno di entrambe le superfici laterali dello strato superiore 24B del secondo strato del rivestimento è formato sulle parti dello strato più basso 24A del secondo strato del rivestimento che le parti corrispondono alla superficie superiore della struttura di MESA ed avanza, uno strato 42 del metallo che ha sostanzialmente la stessa larghezza come la struttura di MESA è formata sulla superficie superiore dello strato isolante 40 e sulla superficie superiore del secondo elettrodo 30 tali che lo strato 42 del metallo continua da una superficie superiore all'altra.
