A substrate is overlaid with each pixel electrode and a TFT connected
thereto, each scanning line and each data line which are connected to the
TFT, each pixel potential side capacitance electrode which is connected to
the pixel electrode and which constitutes a storage capacitor, each fixed
potential side capacitance electrode which is arranged in opposition to
the pixel potential side capacitance electrode via a dielectric film and
which constitutes the storage capacitor, and a contact hole which
electrically connects the fixed potential side capacitance electrode and a
lower light shield film disposed under the TFT so as to shield the TFT
from the entrance of light. Thus, in an electro-optical device having the
TFT, crosstalk, burn-in ascribable to the narrowing of the storage
capacitor are prevented or substantially prevented from occurring, and
also a light leakage current in the TFT is prevented or substantially
prevented from being generated.
Un substrato es overlaid con cada electrodo del pixel y un TFT conectado además, cada línea de exploración y cada línea de datos que están conectados con el TFT, cada electrodo lateral potencial de la capacitancia del pixel que está conectado con el electrodo del pixel y que constituye un condensador del almacenaje, cada electrodo lateral potencial fijo de la capacitancia que se arregla en la oposición al electrodo lateral potencial de la capacitancia del pixel vía una película dieléctrica y que constituye el condensador del almacenaje, y un agujero del contacto que conecta eléctricamente el electrodo lateral potencial fijo de la capacitancia y una película del protector de la luz corta dispuestos debajo del TFT para blindar el TFT de la entrada de la luz. Así, en un dispositivo electróptico que tiene el TFT, la interferencia, marcar a fuego ascribable a enangostar del condensador del almacenaje se previene o se previene substancialmente de ocurrir, y también una corriente ligera de la salida en el TFT se previene o se previene substancialmente de la generación.
