A multi-layered gate for use in a CMOS or CCD imager formed with a second
gate at least partially overlapping it. The multi-layered gate is a
complete gate stack having an insulating layer, a conductive layer, an
optional silicide layer, and a second insulating layer, and has a second
gate formed adjacent to it which has a second conductive layer that
extends at least partially over the surface of the multi-layered gate. The
multi-layered gate has improved insulation, thereby resulting in fewer
shorts between the conductive layers of the two gates. Also disclosed are
processes for forming the multi-layered gate and the overlapping gate.
Une porte multicouche pour l'usage dans une encre en poudre de CMOS ou de CCD a formé avec une deuxième porte la recouvrant au moins partiellement. La porte multicouche est une pile complète de porte ayant une couche de isolation, une couche conductrice, une couche facultative de siliciure, et une deuxième couche de isolation, et a une deuxième porte formée à côté d'elle ce qui a une deuxième couche conductrice qui se prolonge au moins partiellement au-dessus de la surface de la porte multicouche. La porte multicouche a amélioré l'isolation, de ce fait ayant pour résultat peu de shorts entre les couches conductrices des deux portes. En outre révélés sont des processus pour former la porte multicouche et la porte de recouvrement.
