A semiconductor laser module is formed by directly bonding a semiconductor
laser, which has a wavelength tuning mechanism, and an optical wavelength
conversion element which exits laser beam of the second harmonic with the
wavelength of the exited laser beam being the fundamental wave. A center
wavelength of stimulated emission of the semiconductor laser is tunable,
and is locked so as to coincide with a phase matching wavelength of the
optical wavelength conversion element. The semiconductor laser and the
optical wavelength conversion element are directly bonded together at an
end surface portion of an optical wavelength of the optical wavelength
conversion element.
Un module de laser de semi-conducteur est constitué en collant directement un laser de semi-conducteur, qui a un mécanisme d'accord de longueur d'onde, et un élément optique de conversion de longueur d'onde qui sort le rayon laser du deuxième harmonique avec la longueur d'onde du rayon laser sorti étant la vague fondamentale. Une longueur d'onde centrale de l'émission stimulée du laser de semi-conducteur est réglable, et est verrouillée afin de coïncider avec une longueur d'onde d'assortiment de phase de l'élément optique de conversion de longueur d'onde. Le laser de semi-conducteur et l'élément optique de conversion de longueur d'onde sont directement collés ensemble à une partie de surface d'extrémité d'une longueur d'onde optique de l'élément optique de conversion de longueur d'onde.
