A surface emitting semiconductor laser device including a substrate, a
bottom DBR, and a mesa post having a layer structure, the layer structure
including a top DBR including a plurality of pairs, each of said pairs
including an Al-containing high-reflectivity layer and an Al-containing
low-reflectivity layer, an active layer structure sandwiched between the
DBRs for emitting laser, and a current confinement layer disposed within
or in a vicinity of one of the DBRs, the current confinement layer
including a central current injection area and an annular current blocking
area encircling the central current injection area, the annular current
blocking area being formed by selective oxidation of Al in an Al.sub.x
Ga.sub.1-x As layer (0.95.ltoreq.x<1) having a thickness below 60 nm,
the Al-containing low-reflectivity layer including Al at an atomic ratio
not more than 0.8 and below 0.9. The progress of the oxidation in the
Al-containing compound semiconductor layers can be suppressed during the
formation of the current confinement oxide area by restricting the Al
content in the specified range, thereby realizing the surface emitting
semiconductor laser device having the longer lifetime, or the higher
reliability.
Μια επιφάνεια που εκπέμπει τη συσκευή λέιζερ ημιαγωγών συμπεριλαμβανομένου ενός υποστρώματος, ενός κατώτατου σημείου DBR, και μιας θέσης mesa που έχει μια δομή στρώματος, τη δομή στρώματος συμπεριλαμβανομένου ενός κορυφαίου DBR συμπεριλαμβανομένης μιας πολλαπλότητας των ζευγαριών, κάθε ενός από τα εν λόγω ζευγάρια συμπεριλαμβανομένου ενός Al-perje'hontas στρώματος υψηλός-ανακλαστικότητας και ενός Al-perje'hontas στρώματος χαμηλός-ανακλαστικότητας, μια ενεργός δομή στρώματος στρίμωξε μεταξύ του DBRs για την εκπομπή του λέιζερ, και ένα τρέχον στρώμα περιορισμού διέθεσε μέσα ή σε μια εγγύτητα ένα από το DBRs, το τρέχον στρώμα περιορισμού συμπεριλαμβανομένης μιας κεντρικής τρέχουσας περιοχής εγχύσεων και μιας δακτυλιοειδούς τρέχουσας περιοχής φραξίματος που περικυκλώνει την κεντρική τρέχουσα περιοχή εγχύσεων, η δακτυλιοειδής τρέχουσα περιοχή φραξίματος που διαμορφώνεται από την εκλεκτική οξείδωση του Al σε ένα Al.sub.x γα.σuψ.1-Χ ως στρώμα α μεσα ποστ χαβηνγ α λαυερ στρuθτuρε, τχε λαυερ στρuθτuρε ηνθλuδηνγ α τοπ ΔΨΡ ηνθλuδηνγ α πλuραλητυ οφ παηρς, εαθχ οφ σαηδ παηρς ηνθλuδηνγ αν Αλ-θονταηνηνγ χηγχ-ρεφλεθτηβητυ λαυερ ανδ αν Αλ-θονταηνηνγ λοω-ρεφλεθτηβητυ λαυερ, αν αθτηβε λαυερ στρuθτuρε σανδωηθχεδ ψετωεεν τχε ΔΨΡς φορ εμηττηνγ λασερ, ανδ α θuρρεντ θονφηνεμεντ λαυερ δησποσεδ ωητχην ορ ην α βηθηνητυ οφ ονε οφ τχε ΔΨΡς, τχε θuρρεντ θονφηνεμεντ λαυερ ηνθλuδηνγ α θεντραλ θuρρεντ ηνιεθτηον αρεα ανδ αν αννuλαρ θuρρεντ ψλοθκηνγ αρεα ενθηρθληνγ τχε θεντραλ θuρρεντ ηνιεθτηον αρεα, τχε αννuλαρ θuρρεντ ψλοθκηνγ αρεα ψεηνγ φορμεδ ψυ σελεθτηβε οξηδατηον οφ Αλ ην αν Αλ.σuψ.ξ Γα.σuψ.1-ξ Ας λαυερ (0.95.λτορεq.ξ
