Active pixel sensors for a high quality imager are fabricated using a
silicon-on-insulator (SOI) process by integrating the photodetectors on
the SOI substrate and forming pixel readout transistors on the SOI
thin-film. The technique can include forming silicon islands on a buried
insulator layer disposed on a silicon substrate and selectively etching
away the buried insulator layer over a region of the substrate to define a
photodetector area. Dopants of a first conductivity type are implanted to
form a signal node in the photodetector area and to form simultaneously
drain/source regions for a first transistor in at least a first one of the
silicon islands. Dopants of a second conductivity type are implanted to
form drain/source regions for a second transistor in at least a second one
of the silicon islands. Isolation rings around the photodetector also can
be formed when dopants of the second conductivity type are implanted.
Interconnections among the transistors and the photodetector are provided
to allow signals sensed by the photodetector to be read out via the
transistors formed on the silicon islands.
Los sensores activos del pixel para un toner de la alta calidad son fabricados usando un proceso del silicio-en-aislador (SOI) integrando los fotodetectores en el substrato de SOI y formando los transistores de la lectura del pixel en el SOI thin-film. La técnica puede incluir la formación de las islas del silicio en una capa enterrada del aislador dispuesta en un substrato del silicio y selectivamente grabar al agua fuerte lejos la capa enterrada del aislador sobre una región del substrato para definir un área del fotodetector. Los dopants de un primer tipo de la conductividad se implantan para formar un nodo de la señal en el área del fotodetector y para formar simultáneamente las regiones de drain/source para un primer transistor en por lo menos primer de las islas del silicio. Los dopants de un segundo tipo de la conductividad se implantan para formar las regiones de drain/source para un segundo transistor en por lo menos segundo de las islas del silicio. Los anillos del aislamiento alrededor del fotodetector también pueden ser formados cuando los dopants del segundo tipo de la conductividad se implantan. Las interconexiones entre los transistores y el fotodetector se proporcionan para permitir las señales detectadas por el fotodetector que se leerá hacia fuera vía los transistores formados en las islas del silicio.
