Embodiments include a semiconductor device and a method for manufacturing
the same, which simplify the manufacturing steps and provide split gate
type non-volatile memory transistors and other device elements mounted on
the same chip. In one method, the step of forming the lower electrode of a
capacitor 540 and the step of forming a floating gate 40 of a memory
transistor 400 are conducted in different steps. As a result,
characteristics of the floating gate 40 and characteristics of the lower
electrode 54 can be independently optimized. On the other hand, the step
of forming a control gate 36 of the memory transistor 400 and the step of
forming an upper electrode 58 of the capacitor 540 are conducted in the
same step. As a result, the manufacturing process is simplified.
Verkörperungen schließen ein Halbleiterelement und eine Methode für die Produktion dasselbe ein, die die Herstellung Schritte vereinfachen und aufgeteilte Gatterart die Permanentspeichertransistoren und andere Vorrichtung Elemente liefern, die am gleichen Span angebracht werden. In einer Methode werden der Schritt der Formung der untereren Elektrode eines Kondensators 540 und der Schritt der Formung eines sich hin- und herbewegenden Gatters 40 eines Gedächtnistransistors 400 in unterschiedliche Schritte geleitet. Infolgedessen können Eigenschaften des sich hin- und herbewegenden Gatters 40 und Eigenschaften der untereren Elektrode 54 unabhängig optimiert werden. Andererseits werden der Schritt der Formung eines Steuergatters 6 des Gedächtnistransistors 400 und der Schritt der Formung einer oberen Elektrode 58 des Kondensators 540 in den gleichen Schritt geleitet. Infolgedessen wird das Herstellungsverfahren vereinfacht.
