The index of refraction of waveguide structures can be varied by altering
carrier concentration. The waveguides preferably comprise semiconductors
like silicon that are substantially optically transmissive at certain
wavelengths. Variation of the carrier density in these semiconductors may
be effectuated by inducing an electric field within the semiconductor for
example by apply a voltage to electrodes associated with the
semiconductor. Variable control of the index of refraction may be used to
implement a variety of functionalities including, but not limited to,
tunable waveguide gratings and resonant cavities, switchable couplers,
modulators, and optical switches.
De index van breking van golfgeleiderstructuren kan worden gevarieerd door dragerconcentratie te veranderen. De golfgeleiders bestaan bij voorkeur uit halfgeleiders zoals silicium die wezenlijk optisch transmissive bij bepaalde golflengten zijn. De variatie met de dragerdichtheid in deze halfgeleiders kan worden bewerkstelligd door een elektrisch veld binnen de halfgeleider te veroorzaken toepast bijvoorbeeld langs een voltage op elektroden verbonden aan de halfgeleider. De veranderlijke controle van de index van breking kan worden gebruikt om een verscheidenheid van functionaliteit met inbegrip van uit te voeren, maar tot, melodieuze golfgeleidergratings en resonerende holten, verwisselbare koppelingen, modulators, en optische schakelaars worden beperkt.
