A method of chemical-mechanical polishing for forming a shallow trench
isolation is disclosed. A substrate having a number of active regions,
including a number of relative large active regions and a number of
relative small active regions, is provided. The method comprises the
following steps. A silicon nitride layer on the substrate is first formed
A number of shallow trenches are formed between the active regions An
oxide layer is formed over the substrate, so that the shallow trenches are
filled with the oxide layer. A partial reverse active mask is formed on
the oxide layer. The partial rever active mask has an opening at a central
part of each relative large active region. The opening exposes a portion
of the oxide layer. The opening has at least a dummy pattern. The oxide
layer on the central part of each large active region is removed to expose
the silicon nitride layer. The partial reverse active mask is removed The
oxide layer is planarized to expose the silicon nitride layer.
Une méthode de polissage produit-mécanique pour former un isolement peu profond de fossé est révélée. Un substrat ayant un certain nombre de régions actives, y compris un certain nombre de grandes régions actives relatives et un certain nombre de petites régions actives relatives, est fourni. La méthode comporte les étapes suivantes. Une couche de nitrure de silicium sur le substrat est d'abord formée un certain nombre de fossés peu profonds sont formées entre les régions actives que une couche d'oxyde est formée au-dessus du substrat, de sorte que les fossés peu profonds soient remplis de couche d'oxyde. Un masque actif renversé partiel est formé sur la couche d'oxyde. Le masque actif de rever partiel a une ouverture à une partie centrale de chaque grande région active relative. L'ouverture expose une partie de la couche d'oxyde. L'ouverture a au moins un modèle factice. La couche d'oxyde sur la partie centrale de chaque grande région active est enlevée pour exposer la couche de nitrure de silicium. Le masque actif renversé partiel est enlevé la couche d'oxyde est planarized pour exposer la couche de nitrure de silicium.
