Method of fabricating a solid-state imaging device

   
   

A method of fabricating a solid-state imaging device is provided, which enables the formation of an anti-reflection film by oxidizing a surface of a metallic light-shield film without adding additional steps, even though the metallic light-shield film is composed of not only refractory metal silicide but also metals, including tungsten and molybdenum. The method comprises the steps of forming a metallic light-shield film on a light receiving sensor and a transfer electrode formed on a surface layer of a wafer, forming an opening on the metallic light-shield film on the light receiving sensor by etching, forming an interlayer film, and shaping the interlayer film into a lens shape by heat treatment. An atmosphere of either one or both of oxygen gas and ozone gas is prepared in a chamber for forming the interlayer film, and a surface of the metallic light-shield-film is oxidized before the interlayer film is formed.

Eine Methode des Fabrizierens einer Festkörperbelichtung Vorrichtung wird zur Verfügung gestellt, die der Anordnung eines Antireflektionsfilmes ermöglicht, indem es eine Oberfläche eines metallischen Licht-Schild Filmes oxidiert, ohne zusätzliche Schritte zu addieren, obwohl der metallische Licht-Schild Film aus nicht nur refraktärem Metallsilicide aber auch -metallen, einschließlich Wolfram und Molybdän besteht. Die Methode enthält die Schritte von der Formung eines metallischen Licht-Schild Filmes auf einem hellen empfangenden Sensor und einer Übergangselektrode, die auf einer Deckschicht einer Oblate gebildet wird und bildet eine Öffnung auf dem metallischen Licht-Schild Film auf dem hellen empfangenden Sensor, indem sie ätzt, bildet einen Zwischenlagefilm, und formt den Zwischenlagefilm in eine Objektivform durch Wärmebehandlung. Eine Atmosphäre entweder von einer oder beide von Sauerstoffgas und von Ozon-Gas wird in einen Raum für die Formung des Zwischenlagefilmes vorbereitet, und eine Oberfläche des metallischen Licht-Schild-Filmes wird oxidiert, bevor der Zwischenlagefilm gebildet wird.

 
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