A magnetic switching device is provided, which has a configuration
different from that of a conventional example and is capable of enhancing
an energy conversion efficiency for changing the magnetized state of a
magnetic substance. A magnetic memory using the magnetic switching device
also is provided The magnetic switching device includes a magnetic layer,
a transition layer magnetically coupled to the magnetic layer, and a
carrier supplier including at least one selected from metal and a
semiconductor. The transition layer and the carrier supplier are placed in
such a manner that a voltage can be applied between the transition layer
and the carrier supplier. The transition layer undergoes a
non-ferromagnetism--ferromagnetism transition by the application of a
voltage, and the magnetized state of the magnetic layer is changed by the
transition of the transition layer.
Een magnetisch omschakelingsapparaat wordt verstrekt, dat een configuratie verschillend van dat van een conventioneel voorbeeld heeft en een efficiency kan verbeteren van de energieomzetting voor het veranderen van de gemagnetiseerde staat van een magnetische substantie. Een magnetisch geheugen dat het magnetische omschakelingsapparaat met behulp van ook wordt verstrekt het magnetische omschakelingsapparaat een magnetische laag, een overgangslaag die magnetisch aan de magnetische laag wordt gekoppeld, en een dragerleverancier met inbegrip van minstens één omvat die uit metaal en een halfgeleider wordt geselecteerd. De overgangslaag en de dragerleverancier worden geplaatst zodanig dat een voltage tussen de overgangslaag en de dragerleverancier kan worden toegepast. De overgangslaag ondergaat een niet-ferromagnetism -- de ferromagnetismovergang door de toepassing van een voltage, en de gemagnetiseerde staat van de magnetische laag worden veranderd door de overgang van de overgangslaag.
