The invention relates to a laser ablation method for patterning thin film
layers for thick dielectric electroluminescent displays without
substantial ablation of or damage to any other layers. Typically, the thin
film layers are phosphor layers. The laser ablation method for patterning
a thin film phosphor layer of a thick dielectric electroluminescent
display includes selecting a wavelength of laser radiation, a laser pulse
length, a laser energy density and a sufficient number of laser pulses to
pattern the thin film phosphor layer without substantial ablation of or
damage to other layers, whereby the wavelength of laser radiation is such
that the laser radiation is substantially absorbed by the thin film
phosphor layer with minimal absorption by other layers, the laser pulse
length is sufficiently short that during the duration of the laser pulse
there is minimal heat flow from the thin film phosphor layer to other
layers, and the laser energy density and the sufficient number of laser
pulses is sufficiently high that energy is deposited in the thin film
phosphor layer, whereby the entire thickness of at least a portion of the
thin film phosphor layer is ablated.
Die Erfindung bezieht auf einer Laser Entfernung Methode für patterning Dünnfilmschichten für starke dielektrische Leuchtanzeigen ohne erhebliche Entfernung von oder Beschädigung aller möglicher anderen Schichten. Gewöhnlich sind die Dünnfilmschichten Phosphorschichten. Die Laser Entfernung Methode für patterning eine Dünnfilmphosphorschicht einer starken dielektrischen Leuchtanzeige schließt das Vorwählen einer Wellenlänge der Laserstrahlung, eine Laser Impulslänge, eine Laser Energiedichte ein und eine genügende Anzahl von den Laser Impulsen pattern die Dünnfilmphosphorschicht ohne erhebliche Entfernung von oder Beschädigung anderer Schichten, hingegen die Wellenlänge der Laserstrahlung so ist, daß die Laserstrahlung im wesentlichen durch die Dünnfilmphosphorschicht mit minimaler Absorption durch andere Schichten aufgesogen wird, die Laser Impulslänge ist genug kurz, daß während der Dauer des Laser Impulses es minimalen Wärmefluß von der Dünnfilmphosphorschicht zu anderen Schichten gibt, und die Laser Energie Dichte und die genügende Zahl Laser Impulsen ist genug hoch, daß Energie in der Dünnfilmphosphorschicht niedergelegt wird, hingegen die gesamte Stärke mindestens eines Teils der Dünnfilmphosphorschicht entfernt wird.
