An exposure apparatus (EA2) that uses X-ray radiation in a
photolithographic process and can obtain various measurements regarding
the X-ray radiation used, by obtaining and analyzing readings of the
photoelectric effect on various reflective surfaces (5, 60a, 60b, 7, 7a,
9a, 9b, 9c and 9d) or optical elements (50a and 51). With the measurements
of the X-ray radiation, the exposure apparatus can control the exposure
dose during the mask (8) and wafer (10) illumination process. The exposure
system also has the ability to detect deformation in the mirrors (9a, 9b,
9c and 9d) of the projection optical system caused by heat generated by
absorption of the X-ray radiation. This is accomplished by analyzing the
photoelectric effect occurring on the mirror surfaces and correcting the
deformation of the mirrors based on this analysis.
Μια συσκευή έκθεσης (EA2) που χρησιμοποιεί την των ακτίνων X ακτινοβολία σε μια φωτολιθογραφική διαδικασία και μπορεί να λάβει τις διάφορες μετρήσεις σχετικά με την των ακτίνων X ακτινοβολία χρησιμοποιούμενη, με τη λήψη και την ανάλυση των αναγνώσεων της φωτοηλεκτρικής επίδρασης στις διάφορες αντανακλαστικές επιφάνειες (5, 60a, 60b, 7, 7a, 9a, 9b, 9c και 9d) ή τα οπτικά στοιχεία (50a και 51). Με τις μετρήσεις της των ακτίνων X ακτινοβολίας, οι συσκευές έκθεσης μπορούν να ελέγξουν τη δόση έκθεσης κατά τη διάρκεια της μάσκας (8) και της διαδικασίας φωτισμού γκοφρετών (10). Το σύστημα έκθεσης έχει επίσης τη δυνατότητα να ανιχνεύσει την παραμόρφωση στους καθρέφτες (9a, 9b, 9c και 9d) του οπτικού συστήματος προβολής που προκαλείται από τη θερμότητα που παράγεται από την απορρόφηση της των ακτίνων X ακτινοβολίας. Αυτό ολοκληρώνεται με την ανάλυση της φωτοηλεκτρικής επίδρασης που εμφανίζεται στις επιφάνειες καθρεφτών και που διορθώνει την παραμόρφωση των καθρεφτών βασισμένων σε αυτήν την ανάλυση.
