An AlN layer having a surface of a texture structure is formed on a
sapphire substrate. Then, a growth suppressing material layer is formed on
the AlN layer so that the AlN layer is partially exposed to the outside.
Then, group III nitride compound semiconductor layers are grown on the AlN
layer and on the growth suppressing material layer by execution of an
epitaxial lateral overgrowth method. Thus, a group III nitride compound
semiconductor device is produced. An undercoat layer having convex
portions each shaped like a truncated hexagonal pyramid is formed on a
substrate. Group III nitride compound semiconductor layers having a device
function are laminated successively on the undercoat layer.
Una capa de AlN que tiene una superficie de una estructura de la textura se forma en un substrato del zafiro. Entonces, un crecimiento que suprime capa material se forma en la capa de AlN para exponer la capa de AlN parcialmente al exterior. Entonces, las capas del semiconductor compuesto del nitruro del grupo III son crecidas en la capa de AlN y en el crecimiento que suprime capa material por la ejecución de un método lateral epitaxial del crecimiento excesivo. Así, se produce un dispositivo de semiconductor compuesto del nitruro del grupo III. Una capa del undercoat que tiene cuerpo reparte cada uno formada como una pirámide hexagonal truncada se forma en un substrato. Las capas del semiconductor compuesto del nitruro del grupo III que tienen una función del dispositivo se laminan sucesivamente en la capa del undercoat.
