Photodiode for ultra high speed optical communication and fabrication method therefor

   
   

Disclosed is a photodiode having a p-type electrode of a mushroom shape. The p-type electrode is formed in a mushroom shape, so that the contact area faced by the spreading region of a dopant for the photodiode and the electrode can be minimized and the capacitance of the photodiode can be reduced. Further, the p-type electrode is configured to have a broader width in its upper end, thus allowing the wire bonding to be performed easily.

È rilevato un fotodiodo che ha un p-tipo elettrodo di figura del fungo. Il p-tipo elettrodo è formato in una figura del fungo, di modo che la zona di contatto affrontata dalla regione di diffusione di un dopant per il fotodiodo e l'elettrodo può essere minimizzata e la capacità del fotodiodo può essere ridotta. Più ulteriormente, il p-tipo elettrodo è configurato per avere una più vasta larghezza nella relativa estremità superiore, così permettendo il legare che lega per essere effettuato facilmente.

 
Web www.patentalert.com

< Mask for correcting optical proximity effect

< CMOS device on ultrathin SOI with a deposited raised source/drain, and a method of manufacture

> Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) gate stack with high dielectric constant gate dielectric and integrated diffusion barrier

> Low-GIDL MOSFET structure and method for fabrication

~ 00155