Output drivers in semiconductor memory devices such as Rambus DRAM prevent
degradation of the signal characteristics of a channel bus line in a
memory module equipped with the semiconductor memory devices. Each
semiconductor memory device includes blocks of memory cells. The data of a
memory cell in a block is transmitted to a data input/output line through
an output driver for the block. The output driver includes a first
transistor connected to a reference voltage (ground) and a second
transistor. The first transistor is responsive to the data from the
selected block. The second transistor selectively connects the first
transistor to the data input/output line in response to a column cycle
signal for selecting the block or a read control signal containing
calibration information about the characteristics of the data input/output
line. Data from the selected block is transmitted to the data input/output
line via the first and second transistors when the second transistor
responds to the column cycle signal. Accordingly, only the second
transistor of the output driver to which a selectively activated channel
enable signal is applied in the selected block is turned on, and the
output drivers of the unselected data blocks do not increase the
capacitance of the channel bus line, thereby allowing transmission of data
over the channel bus line without degradation of signal characteristics of
the channel bus line.
I driver dell'uscita in dispositivi di memoria a semiconduttore quale il DRAM di Rambus impediscono la degradazione delle caratteristiche del segnale di una linea di bus della scanalatura in un modulo di memoria fornito dei dispositivi di memoria a semiconduttore. Ogni dispositivo di memoria a semiconduttore include i blocchi delle cellule di memoria. I dati di una cellula di memoria in un blocco sono trasmessi ad una linea dell'ingreso/uscita di dati attraverso un driver dell'uscita per il blocco. Il driver dell'uscita include un primo transistore collegato ad una tensione di riferimento (terra) e ad un secondo transistore. Il primo transistore è sensible a reagire ai dati dal blocco selezionato. Il secondo transistore collega selettivamente il primo transistore alla linea dell'ingreso/uscita di dati in risposta ad un segnale del ciclo della colonna per la selezione del blocco o ad un segnale di controllo indicato che contiene le informazioni di calibratura sulle caratteristiche della linea dell'ingreso/uscita di dati. I dati dal blocco selezionato sono trasmessi alla linea dell'ingreso/uscita di dati via i primi e secondi transistori quando il secondo transistore risponde al segnale del ciclo della colonna. Di conseguenza, soltanto il secondo transistore del driver dell'uscita a cui una scanalatura selettivamente attivata permette il segnale è applicato nel blocco selezionato è acceso ed i driver dell'uscita dei blocchetti non selezionati di dati non aumentano la capacità della linea di bus della scanalatura, quindi permettente la trasmissione dei dati sopra la linea di bus della scanalatura senza degradazione delle caratteristiche del segnale della linea di bus della scanalatura.
