A high-voltage stacked capacitor includes a first capacitor and a second
capacitor. Each capacitor includes a first plate comprising a first
semiconductive body and a second plate comprising a floating electrode.
The first and second semiconductor bodies are electrically isolated from
each other. The floating electrode includes an intercapacitor node
configured to self-adjust to a value less than a working voltage impressed
on the stacked capacitor.
Um capacitor empilhado de alta tensão inclui um primeiro capacitor e um segundo capacitor. Cada capacitor inclui uma primeira placa que compreendem um primeiro corpo semiconductive e uma segunda placa que compreende um elétrodo flutuando. Os primeiros e segundos corpos do semicondutor são isolados eletricamente de se. O elétrodo flutuando inclui um nó do intercapacitor configurarado self-para ajustar a um valor menos do que uma tensão trabalhando impressa no capacitor empilhado.
