Back-end metallisation process

   
   

The invention provides for a back-end metallisation process in which a recess is filled with copper and which includes the step of forming a plating base on the surfaces of the recess for the subsequent galvanic deposition of the said copper, and wherein subsequent to the formation of the plating base, but prior to the galvanic deposition of the copper, a modifying agent is introduced to the recess and which serves to absorb in the surface regions not covered by the plating base and to thereby modify the surface to promote copper growth thereon so as to effectively repair the initial plating base before the copper plating fill commences.

Die Erfindung stellt für einen Hintermetallisationprozeß zur Verfügung, in dem eine Aussparung mit Kupfer gefüllt wird und in dem den Schritt der Formung einer Überzugunterseite auf den Oberflächen der Aussparung für die folgende galvanische Absetzung des besagten Kupfers einschließt, und worin folgend der Anordnung der Überzugunterseite, aber vor der galvanischen Absetzung des Kupfers, ein änderndes Mittel zur Aussparung eingeführt wird und das die Serves, zum in den Oberflächenregionen aufzusaugen abgedeckt nicht durch die Überzugunterseite und der Oberfläche dadurch zu ändern, um kupfernes Wachstum darauf zu fördern, damit die Ausgangsüberzugunterseite vor der Verkupferungfülle effektiv zu reparieren beginnt.

 
Web www.patentalert.com

< UV radiation reflecting or absorbing agents, protecting against harmful UV radiation and reinforcing the natural skin barrier

< Magnetic fluid

> Dispersions containing living radicals

> High efficiency slot fed microstrip patch antenna

~ 00155