A semiconductor memory device having an externally controllable input and
output mode is provided. The semiconductor memory device includes a first
and second plurality of pads and an input and output mode set circuit
electrically connected to the first plurality of pads and the second
plurality of pads, for generating a plurality of input and output mode
signals. The input and output mode set circuit cuts off signals received
from the first plurality of pads, controls the level of each of the input
and output mode signals to be at either a logic high level and a logic low
level, and sets the input and output mode when a voltage higher than the
supply voltage of the semiconductor memory device is applied to one of the
second plurality of pads in a test mode. The high voltage is not applied
to the second plurality of pads and the input and output mode set circuit
controls the level of the input and output mode signals to be at either a
logic high level or a logic low level, and thus sets the semiconductor
memory device to have one input and output mode responsive to signals
received from the plurality of pads, during a normal operation.
Accordingly, it is possible to externally change the input and output mode
of the semiconductor memory device.
Um dispositivo de memória do semicondutor que tem uma modalidade externamente controllable da entrada e de saída é fornecido. O dispositivo de memória do semicondutor inclui um primeiro e segundo plurality das almofadas e um circuito ajustado da modalidade da entrada e de saída conectado eletricamente ao primeiro plurality das almofadas e ao segundo plurality das almofadas, para gerar um plurality de sinais da modalidade da entrada e de saída. O circuito ajustado da modalidade da entrada e de saída corta fora os sinais recebidos do primeiro plurality das almofadas, controla o nível de cada um dos sinais da modalidade da entrada e de saída ser no um ou outro um nível elevado da lógica e um nível baixo da lógica, e ajusta a modalidade da entrada e de saída quando uma tensão do que a tensão de fonte do dispositivo de memória do semicondutor é aplicada mais altamente a um do segundo plurality das almofadas em uma modalidade do teste. A alta tensão não é aplicada ao segundo plurality das almofadas e o circuito ajustado da modalidade da entrada e de saída controla o nível dos sinais da modalidade da entrada e de saída estar em um nível elevado da lógica ou em um nível baixo da lógica, e ajusta assim o dispositivo de memória do semicondutor para ter um input e a modalidade de saída responsiva aos sinais recebidos do plurality das almofadas, durante uma operação normal. Conformemente, é possível mudar externamente a modalidade da entrada e de saída do dispositivo de memória do semicondutor.
