Techniques for detecting endpoints during semiconductor dry-etching
processes are described. The dry-etching process of the present invention
involves using a combination of a reactive material and a charged particle
beam, such as an electron beam. In another embodiment, a photon beam is
used to facilitate the etching process. The endpoint detection techniques
involve monitoring the emission levels of secondary electrons and
backscatter electrons together with the current within the sample.
Depending upon the weight given to each of these parameters, an endpoint
is identified when the values of these parameters change more than a
certain percentage, relative to an initial value for these values.
Des techniques pour détecter des points finaux pendant les processus de sec-gravure à l'eau-forte de semi-conducteur sont décrites. Le procédé de sec-gravure à l'eau-forte de la présente invention implique d'employer une combinaison d'un matériel réactif et d'un faisceau chargé de particules, tel qu'un faisceau d'électrons. Dans une autre incorporation, un faisceau de photon est employé pour faciliter le processus gravure à l'eau-forte. Les techniques de détection de point final impliquent de surveiller les niveaux d'émission des électrons secondaires et des électrons de rétrodiffusion ainsi que le courant dans l'échantillon. Dépendant du poids donné à chacun de ces paramètres, un point final est identifié quand les valeurs de ces paramètres changent plus qu'un certain pourcentage, relativement à une valeur initiale pour ces valeurs.
