Method and apparatus for endpoint detection in electron beam assisted etching

   
   

Techniques for detecting endpoints during semiconductor dry-etching processes are described. The dry-etching process of the present invention involves using a combination of a reactive material and a charged particle beam, such as an electron beam. In another embodiment, a photon beam is used to facilitate the etching process. The endpoint detection techniques involve monitoring the emission levels of secondary electrons and backscatter electrons together with the current within the sample. Depending upon the weight given to each of these parameters, an endpoint is identified when the values of these parameters change more than a certain percentage, relative to an initial value for these values.

Des techniques pour détecter des points finaux pendant les processus de sec-gravure à l'eau-forte de semi-conducteur sont décrites. Le procédé de sec-gravure à l'eau-forte de la présente invention implique d'employer une combinaison d'un matériel réactif et d'un faisceau chargé de particules, tel qu'un faisceau d'électrons. Dans une autre incorporation, un faisceau de photon est employé pour faciliter le processus gravure à l'eau-forte. Les techniques de détection de point final impliquent de surveiller les niveaux d'émission des électrons secondaires et des électrons de rétrodiffusion ainsi que le courant dans l'échantillon. Dépendant du poids donné à chacun de ces paramètres, un point final est identifié quand les valeurs de ces paramètres changent plus qu'un certain pourcentage, relativement à une valeur initiale pour ces valeurs.

 
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