In a field emission-type electron source (10), a strong field drift layer
(6) and a surface electrode (7) consisting of a gold thin film are
provided on an n-type silicon substrate (1). An ohmic electrode (2) is
provided on the back surface of the n-type silicon substrate (1). A direct
current voltage is applied so that the surface electrode (7) becomes
positive in potential relevant to the ohmic electrode (2). In this manner,
electrons injected from the ohmic electrode (2) into the strong field
drift layer (6) via the n-type silicon substrate (6) drift in the strong
field drift layer (6), and is emitted to the outside via the surface
electrode (7). The strong field drift layer (6) has: a number of
semiconductor nanocrystals (63) of nano-meter order formed partly of a
semiconductor layer configuring the strong field drift layer (6); and a
number of insulating films (64) each of which is formed on the surface of
each of the semiconductor nanocrystals (63) and each having film thickness
to an extent such that an electron tunneling phenomenon occurs.
В источнике электрона излучени-tipa поля (10), сильный слой смещения поля (6) и поверхностный электрод (7) consist of пленка золота тонкая обеспечены на субстрате кремния н-tipa (1). Омовский электрод (2) обеспечен на задней поверхности субстрата кремния н-tipa (1). Напряжение тока постоянного тока приложено так, что поверхностный электрод (7) станет положительным в потенциале уместном к омовскому электроду (2). В этот образ, электроны впрыснутые от омовского электрода (2) в сильный слой смещения поля (6) через смещение субстрата кремния н-tipa (6) в сильный слой смещения поля (6), и испущены к снаружи через поверхностный электрод (7). Сильный слой смещения поля (6) имеет: несколько nanocrystals полупроводника (63) из заказа нанометра сформировали отчасти слоя полупроводника устанавливая сильный слой смещения поля (6); и нескольк изолировать снимает (64) по каждому из сформировано на поверхности каждого из nanocrystals полупроводника (63) и каждого имея толщину пленки в объем такие что явление прокладывать тоннель электрона происходит.
