In a magnetoresistive element of a magnetic memory, a inversion field Hc of
at least a first magnetic layer is given by
##EQU1##
where Ku and Ms are the perpendicular magnetic anisotropy constant and
saturation magnetization of the first magnetic layer. The inversion field
Hc is set smaller than a magnetic field generated by a magnetic field
generation mechanism. Letting T be the film thickness of the first
magnetic layer and W be the width and length, f is a factor given by
f=7.times.10.sup.-13 (T/W).sup.4 -2.times.10.sup.-9 (T/W).sup.3
+3.times.10.sup.-6 (T/W).sup.2 -0.0019(T/W)+0.9681
A magnetic memory manufacturing method is also disclosed.
Dans un élément magnétorésistant d'une mémoire magnétique, un champ Hc d'inversion au moins d'une première couche magnétique est donné par le ## de ## EQU1 où Ku et mme. sont la magnétisation magnétique perpendiculaire de constante et de saturation d'anisotropie de la première couche magnétique. Le champ Hc d'inversion est placé plus petit qu'un champ magnétique produit par un mécanisme de génération de champ magnétique. En laissant T soyez l'épaisseur de film de la première couche magnétique et W soit la largeur et la longueur, f est un facteur indiqué par f=7.times.10.sup.-13 (T/W).sup.4 -2.times.10.sup.-9 (T/W).sup.3 +3.times.10.sup.-6 (méthode de fabrication magnétique de mémoire de T/W).sup.2 -0.0019(T/W)+0.9681 A est également révélé.
