In a semiconductor pressure sensor device comprising a housing (1) having a
cavity (3), a semiconductor sensor chip (2) mounted within the cavity,
leads (4) for conveying pressure detection signals, and bonding wires (6)
electrically connecting the sensor chip and the leads, a sensitive portion
(2a) of sensor chip (2), leads (4) and bonding wires (6) are covered with
an electrically insulating fluorochemical gel material which has a
penetration of 30-60 according to JIS K2220, a Tg of up to -45.degree. C.,
and a degree of saturation swelling in gasoline at 23.degree. C. of up to
7% by weight. The sensor device is improved in operation reliability and
durability life.
Dans un dispositif de sonde de pression de semi-conducteur comportant un logement (1) ayant une cavité (3), un morceau de détecteur semiconducteur (2) a monté dans la cavité, fils (4) pour donner des signaux de détection de pression, et des fils collants (6) reliant électriquement le morceau de sonde et les fils, une partie sensible (2a) du morceau de sonde (2), fils (4) et collant des fils (6) sont couverts de matériel fluorochemical électriquement isolant de gel qui a une pénétration de 30-60 selon JIS K2220, un Tg de jusqu'à -45.degree. C., et un degré de gonflement de saturation en essence à 23.degree. C. jusqu'à de 7% en poids. Le dispositif de sonde est la vie en fonction améliorée de fiabilité et de longévité.
