A silicon-based electro-optic modulator is based on forming a gate region
of a first conductivity to partially overly a body region of a second
conductivity type, with a relatively thin dielectric layer interposed
between the contiguous portions of the gate and body regions. The
modulator may be formed on an SOI platform, with the body region formed in
the relatively thin silicon surface layer of the SOI structure and the
gate region formed of a relatively thin silicon layer overlying the SOI
structure. The doping in the gate and body regions is controlled to form
lightly doped regions above and below the dielectric, thus defining the
active region of the device. Advantageously, the optical electric field
essentially coincides with the free carrier concentration area in this
active device region. The application of a modulation signal thus causes
the simultaneous accumulation, depletion or inversion of free carriers on
both sides of the dielectric at the same time, resulting in high speed
operation.
Un modulatore elettroottico silicone-basato è basato sul formare una regione di cancello di una prima conducibilità parzialmente eccessivamente ad una regione del corpo di un secondo tipo di conducibilità, con uno strato dielettrico relativamente sottile interposto fra le parti attigue del cancello e le regioni del corpo. Il modulatore può essere formato su una piattaforma di SOI, con la regione del corpo formata nello strato di superficie del silicone relativamente sottile della struttura di SOI e la regione di cancello formata di uno strato relativamente sottile del silicone ricoprente la struttura di SOI. La verniciatura nelle regioni del corpo e del cancello è controllata per formare le regioni leggermente verniciate sopra e sotto il dielettrico, così definendo la regione attiva del dispositivo. Vantaggiosamente, il campo elettrico ottico essenzialmente coincide con la zona libera di concentrazione in elemento portante in questa regione attiva del dispositivo. L'applicazione di un segnale di modulazione causa così l'accumulazione, lo svuotamento o l'inversione simultaneo degli elementi portanti liberi da entrambi i lati del dielettrico allo stesso tempo, con conseguente funzionamento ad alta velocità.
