A gate oxide and method of fabricating a gate oxide that produces a more
reliable and thinner equivalent oxide thickness than conventional
SiO.sub.2 gate oxides are provided. Also shown is a gate oxide with a
conduction band offset of 2 eV or greater. Gate oxides formed from
elements such as yttrium and gadolinium are thermodynamically stable such
that the gate oxides formed will have minimal reactions with a silicon
substrate or other structures during any later high temperature processing
stages. The process shown is performed at lower temperatures than the
prior art, which further inhibits reactions with the silicon substrate or
other structures. Using a thermal evaporation technique to deposit the
layer to be oxidized, the underlying substrate surface smoothness is
preserved, thus providing improved and more consistent electrical
properties in the resulting gate oxide.
Un ossido del cancello e un metodo di fabbricare un ossido del cancello che produce un più certo e lo spessore equivalente dell'ossido del diluente che gli ossidi convenzionali del cancello SiO.sub.2 sono forniti. Inoltre è indicato un ossido del cancello con un'immagine riportata della fascia di conduzione di eV 2 o un più grande. Gli ossidi del cancello formati dagli elementi quali l'ittrio ed il gadolinium sono thermodinamicamente scuderia tali che gli ossidi del cancello formati avranno reazioni minime con un substrato del silicone o altre strutture durante i tutti i livelli di elaborazione dati a temperatura elevata successivi. Il processo indicato è realizzato alle temperature più insufficienti che l'arte anteriore, che più ulteriormente inibisce le reazioni con il substrato del silicone o altre strutture. Usando una tecnica termica di evaporazione per depositare lo strato da ossidare, la scorrevolezza di fondo della superficie del substrato è conservata, proprietà elettriche migliorate e più costanti così fornire nell'ossido risultante del cancello.
