Chemical sensors include a flexible substrate, a flexible lower electrode
on the flexible substrate, and a patterned flexible dielectric layer on
the flexible lower electrode opposite the flexible substrate. A patterned
flexible upper electrode also is included on the patterned flexible
dielectric layer opposite the flexible lower electrode. The patterned
flexible dielectric layer and the patterned flexible upper electrode are
patterned to establish a first current flow path between the flexible
lower electrode and the patterned flexible upper electrode through the
chemical, if present, upon application of voltage between the flexible
lower electrode and the patterned flexible upper electrode. The flexible
lower electrode also may be patterned to establish a second current flow
path between portions of the patterned flexible lower electrode through
the chemical, if present, upon application of voltage between the portions
of the patterned flexible lower electrodes. The flexible upper electrode
also may be patterned to establish a third current flow path between
portions of the patterned flexible upper electrode through the chemical,
if present, upon application of voltage between the portions of the
patterned flexible upper electrode. A rigid substrate also may be used.
Οι χημικοί αισθητήρες περιλαμβάνουν ένα εύκαμπτο υπόστρωμα, ένα εύκαμπτο χαμηλότερο ηλεκτρόδιο στο εύκαμπτο υπόστρωμα, και ένα διαμορφωμένο εύκαμπτο διηλεκτρικό στρώμα στο εύκαμπτο χαμηλότερο ηλεκτρόδιο απέναντι από το εύκαμπτο υπόστρωμα. Ένα διαμορφωμένο εύκαμπτο ανώτερο ηλεκτρόδιο συμπεριλαμβάνεται επίσης στο διαμορφωμένο εύκαμπτο διηλεκτρικό στρώμα απέναντι από το εύκαμπτο χαμηλότερο ηλεκτρόδιο. Το διαμορφωμένο εύκαμπτο διηλεκτρικό στρώμα και το διαμορφωμένο εύκαμπτο ανώτερο ηλεκτρόδιο είναι διαμορφωμένα για να καθιερώσουν μια πρώτη τρέχουσα πορεία ροής μεταξύ του εύκαμπτου χαμηλότερου ηλεκτροδίου και του διαμορφωμένου εύκαμπτου ανώτερου ηλεκτροδίου μέσω της χημικής ουσίας, εάν παρόν, επάνω στην εφαρμογή της τάσης μεταξύ του εύκαμπτου χαμηλότερου ηλεκτροδίου και του διαμορφωμένου εύκαμπτου ανώτερου ηλεκτροδίου. Το εύκαμπτο χαμηλότερο ηλεκτρόδιο μπορεί επίσης να διαμορφωθεί για να καθιερώσει μια δεύτερη τρέχουσα πορεία ροής μεταξύ των μερίδων του διαμορφωμένου εύκαμπτου χαμηλότερου ηλεκτροδίου μέσω της χημικής ουσίας, εάν παρόν, επάνω στην εφαρμογή της τάσης μεταξύ των μερίδων των διαμορφωμένων εύκαμπτων χαμηλότερων ηλεκτροδίων. Το εύκαμπτο ανώτερο ηλεκτρόδιο μπορεί επίσης να διαμορφωθεί για να καθιερώσει μια τρίτη τρέχουσα πορεία ροής μεταξύ των μερίδων του διαμορφωμένου εύκαμπτου ανώτερου ηλεκτροδίου μέσω της χημικής ουσίας, εάν παρόν, επάνω στην εφαρμογή της τάσης μεταξύ των μερίδων του διαμορφωμένου εύκαμπτου ανώτερου ηλεκτροδίου. Ένα άκαμπτο υπόστρωμα μπορεί επίσης να χρησιμοποιηθεί.
