A MOS transistor and subsurface collectors can be formed by using a hard
mask and precisely varying the implant angle, rotation, dose, and energy.
In this case, a particular atomic species can be placed volumetrically in
a required location under the hard mask. The dopant can be implanted to
form sub-silicon volumes of arbitrary shapes, such as pipes, volumes,
hemispheres, and interconnects.
Транзистор mos и близповерхностные сборники могут быть сформированы путем использование трудной маски и точно менять имплантирует угол, вращение, дозу, и энергию. In this case, определенный атомный вид можно поместить объемно в необходим положении под трудной маской. Dopant можно имплантировать для того чтобы сформировать тома суб-kremni4 произвольных форм, such as трубы, томы, полусферы, и соединяет.
