A polyelectrolyte dispensing polishing pad, a process for its production
and a method of polishing, e.g., chemical mechanical polishing (CMP), a
substrate such as a semiconductor wafer, are provided. The pad is usable
for CMP planarization of an oxide or metal layer on the wafer. The pad has
a polishing layer of erodible binder material containing uniformly
distributed therein both abrasive particles and a water soluble ionizable
electrolyte substance such as a polyelectrolyte, such that during
polishing the binder material incrementally erodes and the abrasive
particles and electrolyte substance incrementally release into direct
contact with the substrate. The electrolyte substance inhibits CMP removal
of silicon nitride, e.g., as a stop layer, under an upper oxide or metal
layer, such that the upper layer is selectively polished and the CMP stops
on the stop layer leaving the latter intact.
Eine Polyelektrolytzugeführte Polierauflage, ein Prozeß für seine Produktion und eine Methode des Polierens z.B. chemisches mechanisches (CMP), ein Substrat polieren wie ein Halbleiterplättchen, werden zur Verfügung gestellt. Die Auflage ist für CMP planarization einer Oxid- oder Metallschicht auf der Oblate verwendbar. Die Auflage hat eine Polierschicht erodible Mappe Material, das gleichmäßig verteilte darin abschleifende Partikel und eine wasserlösliche ionisierbare Elektrolytsubstanz wie ein Polyelektrolyt, so enthält, daß während des Polierens des Mappe Materials zusätzlich abfrißt und die abschleifenden Partikel und die Elektrolytsubstanz zusätzlich in direkten Kontakt mit dem Substrat freigeben. Die Elektrolytsubstanz hemmt CMP Abbau des Silikonnitrids z.B. da eine Endschicht, unter eine obere Oxid- oder Metallschicht, so, daß die obere Schicht selektiv poliert wird und der CMP auf der Endschicht stoppt, die das letzte intakte verläßt.
