A semiconductor laser device emitting a laser beam having stable emitting
wavelength and a multimode spectrum is provided. The semiconductor laser
device is a Fabry-Perot type semiconductor laser device having a layer
structure including an active layer of a quantum well structure, and
emitting a laser beam having wavelength stabilized by an action of return
light and having a multimode spectrum, wherein each well layer satisfies
relation:
.GAMMA./d.ltoreq.1.3.times.10.sup.-3 nm.sup.-1
where .GAMMA. and d(nm) are an optical confinement factor and a thickness
of a well layer, respectively.
Un dispositif de laser de semi-conducteur émettant un rayon laser ayant la longueur d'onde d'émission stable et un spectre à plusieurs modes de fonctionnement est fourni. Le dispositif de laser de semi-conducteur est un type dispositif de Fabry-Perot de laser de semi-conducteur ayant une structure de couche comprenant une couche active d'une structure de puits de quantum, et émettant un rayon laser faisant stabiliser la longueur d'onde par une action de la lumière de retour et ayant un spectre à plusieurs modes de fonctionnement, où chacun couche de puits satisfait la relation : GAMMA./d.ltoreq.1.3.times.10.sup.-3 Nm.sup.-1 où le GAMMA. et le d(nm) sont un facteur optique d'emprisonnement et une épaisseur d'une couche bonne, respectivement.
