A memory sense amplifier for a semiconductor memory device is provided with
a compensation current source device that generates a compensation current
and feeds it to an interconnected bit line. The compensation current is
selected in such a manner that during readout a potential gradient can be
generated and/or maintained in cooperation with a compensation voltage
source device on the selected and interlinked bit line device that is
substantially constant over time.
Um amplificador do sentido da memória para um dispositivo de memória do semicondutor é fornecido com um dispositivo atual da fonte da compensação que gere uma compensação atual e a alimente a uma linha interconectada do bocado. A corrente da compensação é selecionada em tal maneira que durante o readout um gradient potencial pode ser gerado e/ou mantido na cooperação com um dispositivo da fonte da tensão da compensação na linha selecionada e interlinked dispositivo do bocado que é tempo excedente substancialmente constante.
