An embodiment of the invention is an integrated circuit 2 having halo atoms
12 concentrated at a gate side of a channel region and impurity atoms 14
within the channel region. Another embodiment of the invention is a method
of manufacturing an integrated circuit that includes the implantation of
impurity atoms 14 into a semiconductor substrate 11.
Un metodo di realizzazione dell'invenzione è un circuito integrato 2 che ha atomi 12 di guidacarta concentrati su un lato del cancello di una regione della scanalatura e degli atomi 14 dell'impurità all'interno della regione della scanalatura. Un altro metodo di realizzazione dell'invenzione è un metodo di produzione del circuito integrato che include l'impianto degli atomi 14 dell'impurità in un substrato 11 a semiconduttore.
