A multilayer switching assembly for switching high frequency signals has
MEMS structures on a ceramic substrate having a top surface, a bottom
surface and a plurality of insulating layers. The insulating layers are
separated by a first conductor and a second conductor. The first conductor
is connected to a ground potential. The second conductor is separated from
the first conductor by one of the insulating layers. The second conductor
presents a specific impedance (50 ohms) with respect to the first
conductor to high frequency signals traveling on the second conductor.
64 MEMS structures are mounted on the top surface. Each MEMS has an input,
an output, and a control. The input connected to the second conductor. The
output is connected to a coplanar waveguide placed on the top surface. The
control is connected to the bottom surface.
The input to each MEMS is electrically shielded from the output and from
the control by a third conductor connected to the first (grounded)
conductor. The third conductor traverses one or more of the insulating
layers thereby acting as a shield and precluding the high frequency
signals presented to the input from propagating to the output and to the
control. The 64 MEMS are arranged in a square 8 by 8 matrix, as well as
their controls. High frequency inputs and outputs to be switched by the
MEMS are placed on the periphery of the substrate to further enhance the
separation of signals. Terminating resistors (50 ohms) are also placed
near the periphery.
Eine mehrschichtige Schaltung für Schaltung Hochfrequenzsignale hat MEMS Strukturen auf einem keramischen Substrat, das eine Oberfläche, eine Grundfläche und eine Mehrzahl von Isolierschichten hat. Die Isolierschichten werden durch einen ersten Leiter und einen zweiten Leiter getrennt. Der erste Leiter wird an ein Grundpotential angeschlossen. Der zweite Leiter wird vom ersten Leiter durch eine der Isolierschichten getrennt. Der zweite Leiter stellt einen spezifischen Widerstand (50 Ohm) in Bezug auf den ersten Leiter den Hochfrequenzsignalen dar, die auf den zweiten Leiter reisen. 64 MEMS Strukturen werden an der Oberfläche angebracht. Jedes MEMS hat einen Eingang, einen Ausgang und eine Steuerung. Der Eingang schloß an den zweiten Leiter an. Der Ausgang wird an einen koplanaren Wellenleiter angeschlossen, der auf die Oberfläche gesetzt wird. Die Steuerung wird an die Grundfläche angeschlossen. Der Eingang zu jedem MEMS wird elektrisch vom Ausgang und von der Steuerung durch einen dritten Leiter abgeschirmt, der an den ersten angeschlossen wird (geerdeten) Leiter. Der dritte Leiter eine oder mehr der Isolierschichten überquert, dadurch esdient esdient, als ein Schild und das Ausschließen der Hochfrequenzsignale dem Eingang vom Fortpflanzen dem Ausgang und der Steuerung sich darstellten. Die 64 MEMS werden in einem Quadrat 8 durch Matrix 8, sowie ihre Kontrollen geordnet. Die durch das MEMS geschaltet zu werden Hochfrequenzeingänge und Ausgänge, werden auf die Peripherie des Substrates gesetzt, um die Trennung der Signale weiter zu erhöhen. Beendend werden Widerstände (50 Ohm) auch nahe der Peripherie gesetzt.
