Exposure method, exposure apparatus and its making method, device manufacturing method, and device

   
   

The energy amount of the energy beam passing through the illumination optical system is detected with the first photosensor, whereas the energy amount of the energy beam EL passing through at least a portion of the projection optical system PL is detected. And in accordance with the detection results, the main controller controls the exposure amount provided on the substrate during exposure. In the case the transmittance of the energy beam in the optical path from the first photosensor to the substrate surface (image plane) changes, this change is substantially precisely reflected to a value obtained by dividing the detection value of the second photosensor by the detection value of the first photosensor and normalizing the result. Accordingly, the transmittance change of the optical system in the optical path can be substantially cancelled out, allowing an exposure amount control with high precision.

La quantité d'énergie du faisceau d'énergie passant par le système optique d'illumination est détectée avec le premier photodétecteur, tandis que la quantité d'énergie du EL de faisceau d'énergie passant par au moins une partie du système optique PL de projection est détectée. Et selon les résultats de détection, le contrôleur de force commande la quantité d'exposition fournie sur le substrat pendant l'exposition. Dans le cas la transmittance du faisceau d'énergie dans le chemin optique du premier photodétecteur aux changements de surface de substrat (avion d'image), ce changement est essentiellement avec précision reflétée à une valeur obtenue en divisant la valeur de détection du deuxième photodétecteur par la valeur de détection du premier photodétecteur et en normalisant le résultat. En conséquence, le changement de transmittance du système optique dans le chemin optique peut être sensiblement décommandé dehors, permettant une commande de quantité d'exposition avec la précision élevée.

 
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